Ремотн блока управления крышкой богажника HDS (n121) w211
 

Всем доброго времени суток, имеется проблемка по подбору пробитого транзистора, может кто уже менял такой N410AB 75343P, по номеру номинала ни находиться даташит, а по парт номеру открываются с другим номиналом.

Время на поиск затрачено меньше чем время на написание этого поста.

75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET
Features
Power MOSFETs
• 75A, 55V
These N-Channel power MOSFETs
• Simulation Models
are manufactured using the
in
- Temperature Compensating PSPICE® and SABER™
novative UltraFET® process. This
Models
advanced process technology
- Thermal Impedance PSPICE™ and SABER Models
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,
Available on the WEB at: [Ссылки могут видеть только зарегистрированные пользователи. Зарегистрироваться...]
resulting in outstanding performance. This device is capable
of
• Peak Current vs Pulse Width Curve
withstanding high energy in the avalanche mode and the
diode exhibits very low reverse recovery time and stored
• UIS Rating Curve
charge. It was designed for use in applications where power
efficiency
• Related Literature
is important, such as switching regulators,
switching converters
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
, motor drivers, relay drivers, low-
voltage
Components to PC Boards”
bus switches, and power management in portable
and battery operated products.
Symbol
Formerly developmental type TA75343.
D
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
G
HUF75343G3
TO-247
75343G
HUF75343P3
TO-220AB
75343P
S
HUF75343S3S
TO-263AB
75343S
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to
obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HUF75343S3ST.

Для подбора достаточно второго номера?

Для подбора достаточно
75A, 55V, N-Channel MOSFETs TO-220AB

Спасибо

И сопротивление открытого канала близко к 0.01 - 0.02 Ohm